①Ga3+位于O2﹣圍成的面體空隙中。
②該晶胞中O2﹣的配位數(shù)為。
③若該晶胞的體積為Vcm3 , 該氧化物晶體密度為。
微信掃碼預覽、分享更方便
2006-2025 深圳市思高達科技有限公司 粵ICP備14099982號 粵公網(wǎng)安備 44030702004423號