1. (2022高二下·番禺期末) 在芯片制造過(guò)程中，離子注入是其中一道重要工序，如圖為離子注入工作原理示意圖：質(zhì)量為m，電量為q的離子由靜止經(jīng)電場(chǎng)加速后，沿水平虛線穿過(guò)速度選擇器，再通過(guò)勻強(qiáng)磁場(chǎng)偏轉(zhuǎn)后，恰好豎直向下射出。已知速度選擇器的磁場(chǎng)和偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B，方向相同；速度選擇器的勻強(qiáng)電場(chǎng)場(chǎng)強(qiáng)大小為E、方向?yàn)樨Q直向上。整個(gè)系統(tǒng)置于真空中，不計(jì)離子重力，則（   ）

A . 該離子帶正電 B . 偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)的方向垂直紙面向外 C . 加速電場(chǎng)的電壓 D . 離子在偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng)的半徑為