1. (2023·江蘇) 霍爾推進(jìn)器某局部區(qū)域可抽象成如圖所示的模型。Oxy平面內(nèi)存在豎直向下的勻強(qiáng)電場(chǎng)和垂直坐標(biāo)平面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B。質(zhì)量為m、電荷量為e的電子從O點(diǎn)沿x軸正方向水平入射。入射速度為v₀時(shí)，電子沿x軸做直線運(yùn)動(dòng)；入射速度小于v₀時(shí)，電子的運(yùn)動(dòng)軌跡如圖中的虛線所示，且在最高點(diǎn)與在最低點(diǎn)所受的合力大小相等。不計(jì)重力及電子間相互作用。

1. （1） 求電場(chǎng)強(qiáng)度的大小E；
3. （2） 若電子入射速度為 ， 求運(yùn)動(dòng)到速度為時(shí)位置的縱坐標(biāo)y₁；
5. （3） 若電子入射速度在0 < v < v₀范圍內(nèi)均勻分布，求能到達(dá)縱坐標(biāo)位置的電子數(shù)N占總電子數(shù)N₀的百分比。