1. (2022高三上·常德期末) 物理氣相沉積鍍膜是芯片制作的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一，如圖是該設(shè)備的平面結(jié)構(gòu)簡圖。初速度不計的氬離子（比荷）經(jīng)電壓的電場加速后，從C點水平向右進入豎直向下的場強為的勻強電場，恰好打到電場、磁場的豎直分界線I最下方M點（未進入磁場）并被位于該處的金屬靶材全部吸收，兩點的水平距離為。靶材濺射出的部分金屬離子（比荷）沿各個方向進入兩勻強磁場區(qū)域，速度大小均為 ， 并沉積在固定基底上，M點到基底的距離為。基底與水平方向夾角為 ， 大小相等、方向相反（均垂直紙面）的兩磁場的分界線Ⅱ過M點且與基底垂直。（兩種離子均帶正電，忽略重力及離子間相互作用力。）求：

1. （1） 兩點的高度差；
3. （2） 在紙面內(nèi)，基底上可被金屬離子打中而鍍膜的區(qū)域長度。
5. （3） 金屬離子打在基座上所用時間最短時粒子的入射方向與分界線Ⅱ的夾角的正弦值。