1. (2021高二上·唐山期末) 在芯片制造過程中，離子注入是其中一道重要的工序。如圖所示是離子注入工作原理的示意圖。靜止于A處的離子，經(jīng)電壓為U的加速電場加速后，沿圖中半徑為R的虛線通過圓弧形靜電分析器（靜電分析器通道內(nèi)有均勻輻向分布的電場）后，從P點(diǎn)沿豎直方向進(jìn)入半徑為r的圓形勻強(qiáng)磁場區(qū)域，磁場方向垂直于紙面向外。該圓形磁場區(qū)域的直徑PQ與豎直方向夾角為15°，經(jīng)磁場偏轉(zhuǎn)，離子最后垂直打在豎直放置的硅片上。已知離子的質(zhì)量為m、電荷量為q，不計重力。求：

1. （1） 離子進(jìn)入圓形勻強(qiáng)磁場區(qū)域時的速度大??；
3. （2） 靜電分析器通道內(nèi)虛線處電場強(qiáng)度的大小E；
5. （3） 勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小。