1. (2021·順德模擬) 如圖所示，平板MN上方有足夠大的勻強磁場區(qū)域，磁場方向垂直紙面向里，質(zhì)子（ ）和氘核（ ）從靜止開始，經(jīng)過同一個加速電場加速后，從平板上的小孔O先后射入勻強磁場，速度方向與平板MN夾角均為 （0< < ），整個裝置放在真空中，且不計重力，不考慮兩個粒子之間的相互作用。質(zhì)子打到平板MN上的位置到小孔的距離為s，則（   ）

A . 質(zhì)子和氘核在磁場中運動的時間之比為2：1 B . 保持其他量不變，當 時，氘核打到平板MN的位置離O點最遠 C . 氘核到小孔的距離為 D . 保持其他量不變，加速電場的電壓加倍，質(zhì)子到小孔的距離變?yōu)?s